داتلاشماس پولات يادرولۇق چىرىش دۆۋىسىنى كەپشەرلەشنى تېخنىكىلىق تونۇشتۇرۇش.
دۆۋىلەپ كەپشەرلەش تېخنىكىسى كەپشەرلەش ئارقىلىق خىزمەتنىڭ يۈزىنى ئۆزگەرتىپ ، خىزمەت جەريانىدا ئەسەرنىڭ ئىقتىدار تەلىپىگە ماس كېلىدۇ.سىم كەپشەرلەش سىم ئېرىتىش ئۈنۈمى يۇقىرى ، قالدۇقلىرى ئاسان ، پۈركۈش ئىنتايىن كىچىك ، كەپشەرلەش يولى ناھايىتى گۈزەل ، ئۇ ئۇزۇن مۇددەت ئۇدا ۋە مۇقىم كەپشەرلەشنى ئەمەلگە ئاشۇرالايدۇ ، بۇ ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنى زور دەرىجىدە يۇقىرى كۆتۈرەلەيدۇ.
JINGLEI دۆۋە كەپشەرلەش يادرو كەپشەرلەش سىمى
ھىدروگېنلاش رېئاكتورى ئادەتتە CR-MO پولاتنى ئاستى ماتېرىيال سۈپىتىدە ئىشلىتىدۇ ، داتلاشماس پولات يادرو كەپشەرلەش سىم مەھسۇلاتلىرى GFS-309L (ئۆتكۈنچى قەۋەت) ۋە GFS-347L (چىرىشكە چىداملىق) ئاساسلىقى رېئاكتورنىڭ ئىچكى تېمى ۋە يۈزىگە ئىشلىتىلىدۇ.
GFS-309L + GFS-347L بىرىكمە دۆۋە كەپشەرلەش
Id Pidium كەپشەرلەش جەريانى
قەدەم ①:
بىرىنچىدىن ، GFS-309L ئۆتكۈنچى ماتېرىيال سۈپىتىدە ئاستى ماتېرىيالغا دۆۋىلەپ ، ياستۇق رولىنى ئوينايدۇ ، بۇ كېيىنكى كەپشەرلەش يېرىلىش ئېھتىماللىقىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
قەدەم ②:
ئىككى قەۋەت GFS-347L دۆۋە كەپشەرلەش چىرىتىش قەۋىتى سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ ، ئۆتكۈنچى قەۋەت + چىرىش قەۋىتىنىڭ ئومۇمىي قېلىنلىقى تەخمىنەن 7 ~ 8 مىللىمېتىر.
قەدەم ③:
ئىسسىقلىق بىلەن داۋالاش (PWHT) كەپشەرلىگەندىن كېيىن ، تۆۋەندىكى خېرىدار مىسال ئۈچۈن 665 ° C × 12H + 705 ℃ × 32h تەلەپ قىلىدۇ.
قەدەم ④:
كەپشەرلەش ماشىنىسىنى لازىملىق قېلىنلىقتا ماشىنىلاشتۇردى.
| ياق. | سىناق تۈرى | ئەۋرىشكە ئورنى | RESULT |
| 1 | Ironin (كەپشەرلەنگەن) | چىرىش قەۋىتى | 6.2% .5.7FN |
| Surface 3 | 7.0% .6.5FN | ||
| 2 | ئەگمە سىناق (PWHT) | توغرىسىغا.ۋېرتىكال | باشنىڭ دىئامېتىرى 4T ، ئېگىلىش بۇلۇڭى 180 ° ، كەپشەرلەش ۋە ئىسسىقلىق تەسىرى رايونلىرىدا يېرىق يوق |
| 3 | چىرىش سىنىقى (PWHT) | چىرىش قەۋىتى | GB / T 4334 E, ASTM A262E ، كرىستال بولمىغان چىرىتىش يېرىلىدۇ |
| 4 | باشقا تۈرلەر | - |
يوللانغان ۋاقتى: 11-نويابىردىن 07-كۈنىگىچە